转自：新质料在线

　　近期，中国科学院上海微系统与信息手艺研究所信息功效质料国家重点实验室SOI质料课题组在层数可控石墨烯薄膜制备方面取得新希望

？翁庾樯杓屏薔i/Cu系统，并使用离子注入手艺引入碳源，通过准确控制注入碳的剂量，乐成实现了对石墨烯层数的调控
。相关研究效果以Synthesis of Layer-Tunable Graphene：A Combined Kinetic Implantation and Thermal Ejection Approach 为题作为背封面（Back Cover)文章揭晓在Advanced Functional Materials 2015年第24期上
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　　石墨烯以其优异的电学性能、轶群的热导率以及卓越的力学性能等被人们普遍以为是后硅CMOS时代延续摩尔定律的最有竞争力的电子质料，拥有辽阔的应用远景
。然而，针对特殊的应用需求必需对石墨烯的层数举行准确控制
。上海微系统所SOI质料课题组围绕石墨烯层数控制问题，团结Ni和Cu在CVD法中制备石 墨烯的特点，使用两种质料对碳消融能力的差别，设计了Ni/Cu系统（即在25 μm厚的Cu箔上电子束蒸发一层300 nm的Ni )，并使用半导体工业中成熟的离子注入手艺将碳离子注入到Ni/Cu系统中的Ni层中，通过控制注入碳离子的剂量（即4E15 atms/cm2剂量对应单层石墨烯，8E15 atoms/cm2剂量对应双层石墨烯)，经退火后乐成实现了单、双层石墨烯的制备
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　　与古板的CVD制备石墨烯工艺相比，离子注入手艺具有低温掺杂、准确的能量和剂量控制和高匀称性等优点，接纳离子注入法制备石墨烯单双层数仅受碳注入剂量的影响，与气体的体积比、衬底厚度以及生长温度无关
。别的，离子注入手艺与现代半导体手艺相兼容，有助于实现石墨烯作为电子质料在半导体器件领域真正的应 用
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　　该研究获得了国家自然科学基金委立异研究群体、优异青年基金、中国科学院高迁徙率质料立异研究团队等相关研究妄想的支持
。（据：中国科学院)